KR101679598B1 KR1020160000270A KR20160000270A KR101679598B1 KR 101679598 B1 KR101679598 B1 KR 101679598B1 KR 1020160000270 A KR1020160000270 A KR 1020160000270A KR 20160000270 A KR20160000270 A KR 20160000270A KR 101679598 B1 KR101679598 … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20180060309A. 상기 컬러 필터 어레이는, 2 X 2 어레이로 배열된 두 개의 제1 컬러 필터들, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하고, 각각의 상기 제1 … 이미지 센서를 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 장치는 광 검출기, 비교기, 및 메모리 회로를 포함하는 디지털 픽셀, 상기 디지털 픽셀을 제어하도록 구성된 픽셀 드라이버, 및 상기 디지털 픽셀로부터 출력된 디지털 신호에 대한 디지털 신호 처리 동작을 수행하도록 구성된 디지털 로직 회로를 포함한다. 복수의 광 감지 소자들은 반도체 기판의 상부 영역에 서로 이격되어 형성된다. . 즉 빛 에너지를 전기적 에너지로 변환해 영상으로 만드는데, 카메라의 필름과 같은 역할을 합니다. 씨모스 이미지 센서는, p 도전형 반도체 기판 내에 형성되어 입사광에 대응하는 전하를 축적하는 포토 다이오드; 상기 포토 다이오드에 축적된 광전하를 전송받기 위한 제1 부유확산영역; 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 상기 제1 부유확산영역으로 전송하는 제1 . 센서 종류와 원리 압력센서의 원리 압력센서의 이용 광 센서(photo sensor) 원리 스마트폰 액정 화면이나 냉장고 터치 스크린 작동 스마트폰이나 냉장고 등 가전 제품의 터치 스크린은 미세한 전류를 감지하여 작동하는 것으로써 인체는 이런 전류를 받아들이는 도체의 역할을 하므로 터치 스크린 . 본 발명은 프리즘 등의 광경로 변경수단이 일체로 장착된 이미지 센서 모듈에 관한 것이다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102354420B1. 하우징(10)은, 도광체(1),(2), 렌즈체(15), 및 센서(16)를 수납 또는 유지하고, 하우징 금속부(110)와 하우징 . 복수의 박형 렌즈들 중 적어도 둘은 다른 파장의 광을 집광할 수 있다.
본 발명은 sog층 이용하지 않고 평탄화를 이룰 수 있어 결함 발생을 방지할 수 있는 이미지 센서 제조 방법에 관한 것으로, 소정의 하부구조 형성이 완료된 반도체 기판 상부에 연결배선 패턴을 형성하는 단계; 상기 연결배선 패턴 형성이 완료된 전체 구조 상에 소수성 물질로 이루어지는 제1 평탄화 . 이미지 센서, 크로스토크, 보색 필터, 컬러 필터 어레이 SNR 감소 없이 크로스토크를 제거하여 감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서는 광 감지 소자들, 및 각각이 상기 광 감지 소자들 중에서 대응되는 광 감지 소자 위에 적층된 복수의 필터들을 포함하는 필터 .본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단위 픽셀들; 및 상기 단위 픽셀들 상의 컬러 필터 어레이를 포함한다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 제1 기판, 제1 기판의 전면에 형성되고 제1 도전층을 둘러싸는 제1 층간 . 이러한 본 발명은 하나의 오픈픽셀에 의해 발생하는 복수의 차광픽셀들의 크로스 토크 성분의 값을 각각 측정하는 복수의 단위 테스트 패턴들을 포함하는 픽셀 어레이, 복수의 단위 테스트 패턴들에 . Circuit controller for controlling a pixel circuit and a method of controlling a pixel circuit .
KR20210064687A . Sensitivity: Measured average output at 25% of saturation level illumination for exposure time 1/30 sec. KR20190094580A KR1020180013884A KR20180013884A KR20190094580A KR 20190094580 A KR20190094580 A KR 20190094580A KR 1020180013884 A KR1020180013884 A KR 1020180013884A KR 20180013884 A KR20180013884 A KR … 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈. 집적도가 향상된 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서가 제공된다. 2015.
앙헬 폭포 KR101463963B1 KR20130111943A KR20130111943A KR101463963B1 KR 101463963 B1 KR101463963 B1 KR 101463963B1 KR 20130111943 A KR20130111943 A KR 20130111943A KR 20130111943 A KR20130111943 A KR 20130111943A KR 101463963 B1 KR101463963 B1 KR 101463963B1 Authority KR South Korea Prior art keywords image … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20210047008A. 본 발명의 일 실시 예에 따른 이미지 센서는, 입사광의 광량에 대응하는 광전하를 축적하는 포토 다이오드와, 상기 광전하를 전달받아 축적하는 플로팅 디퓨전을 포함하는 기판 및 상기 포토 다이오드로부터 상기 플로팅 디퓨전으로 상기 광전하를 전달하는 제1 및 제2 전송 게이트를 포함하고, 상기 . 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 화소들이 곡선 배치되어 있는 곡선형 이미지 센서 구조로, 인간의 망막과 같이 빛을 받는 센서의 표면이 곡선을 가짐으로서 수차와 화상의 왜곡을 줄이고 렌즈부를 간소화할 수 있다. . 본 발명은 구형 이미지 센서에 관한 것으로, 외부 광량을 조절하는 조리개와; 상기 조리개를 통한 외부 광이 입사되는 구형 구조물과; 상기 구형 구조물에 입사된 광을 감지하며, 상기 구형 구조물의 곡면에 형성되어 있는 이미지 센서 구조물을 포함하여 구성된 구형 이미지 센서로 구성된다. 본 발명에 따른 이미지 센서는 복수의 액티브 화소가 배치되는 액티브 화소 영역 및 패드가 배치되는 전력 공급 영역을 가지는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 배치되며 복수의 액티브 화소에 대응하는 복수의 제1 투명 .
이웃추가. Sep 2, 2021 · 본 발명의 실시 형태에 따른 이미지 센서는, 제1 방향을 따라 연장되는 제1 칼럼 라인과 제2 칼럼 라인, 상기 제1 칼럼 라인 또는 상기 제2 칼럼 라인에 연결되며, 복수의 픽셀들을 각각 포함하는 복수의 픽셀 그룹들, 제1 동작 … 이미지 센서는 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 배치되는 수광부; 상기 반도체 기판 상에 배치되는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 반사 방지 패턴을 포함한다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20160112775A. KR20130056485A - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number . 이미지 센서의 원리. 이미지 센서는 반도체 기판 내에 형성되어 입사광에 대응하는 전하를 축적하는 광전자 변환부를 포함하는 단위 화소가 매트릭스 형태로 배열된 활성 화소 영역, 활성 화소 영역과 인접하여 형성되고 차광된 단위 화소가 배열된 제1 옵티컬 블랙 영역, 제1 옵티컬 . KR20200038147A - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서, 씨모스 회로, 포토다이오드 실시예에 따른 이미지 센서는 씨모스 회로를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치된 금속배선을 포함하는 층간 절연막; 상기 금속배선 상에 배치된 하부전극; 상기 하부전극을 포함하는 층간 절연막 상에 . 프로세서 장치(4300)는 적어도 하나의 마이크로 프로세서, 디지털 신호 프로세서, 마이크로 콘트롤러, 그리고 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 어느 . 이에 따라, 선명한 화상을 얻을 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 이를 구비한 전자 기기를 제공할 수 있다.28 H. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이미지 센서(1)는 매립형 포토 다이오드 PD(m,n)가 복수로 배열된 이미지 센서이다.28 이미지를 데이터로 .
이미지 센서, 씨모스 회로, 포토다이오드 실시예에 따른 이미지 센서는 씨모스 회로를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치된 금속배선을 포함하는 층간 절연막; 상기 금속배선 상에 배치된 하부전극; 상기 하부전극을 포함하는 층간 절연막 상에 . 프로세서 장치(4300)는 적어도 하나의 마이크로 프로세서, 디지털 신호 프로세서, 마이크로 콘트롤러, 그리고 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 어느 . 이에 따라, 선명한 화상을 얻을 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 이를 구비한 전자 기기를 제공할 수 있다.28 H. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이미지 센서(1)는 매립형 포토 다이오드 PD(m,n)가 복수로 배열된 이미지 센서이다.28 이미지를 데이터로 .
KR20200105584A - 이미지 센서 - Google Patents
12. 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 픽셀 영역, 상기 픽셀 영역의 외측에 위치하는 옵티컬 블랙 영역, 및 상기 픽셀 영역의 외측에 위치하는 얼라인 키 영역이 정의되고, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 갖는 기판, 상기 기판의 상기 제1 면의 하부에 . 아래 두 그림은 이미지 센서의 구성을 간단히 도식화한 것입니다. 이미지 센서는, 기판의 상면에 수직한 수직 방향으로 상기 기판을 관통하여, 단위 픽셀들이 각각 형성되는 단위 픽셀 영역들을 정의하는 픽셀 분리 구조물; 상기 각 단위 픽셀 영역들 내에 형성된 감광 소자; 상기 기판 상에 형성된 트랜지스터; 상기 기판 아래에 형성되며, 복수의 컬러 필터들을 . 본 발명은 크랙 및 파티클 등의 결함 발생 없이 이미지센서를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 기판상에 일련의 이미지센서 소자들을 형성하는 단계; 소자보호막을 형성하는 단계: 수광영역과 비수광영역의 경계 . 카메라에 이용되고 있는 센서로, 바로 빛을 감지해 화상화하는 센서를 이미지 센서라고 합니다.
따라서 화소마다 몇 개씩의 트랜지스터가 필요하게 … 본 발명은 비닝 동작에 따른 이미지 센서 크기 증가는 최소화시키면서 이미지 화질은 개선할 수 있는 이미지 센서에 관한 것으로, 상기 이미지 센서는 다수의 픽셀과 샘플링부간 신호 경로를 제어하며, 일반 동작시에는 상기 다수의 픽셀의 출력을 로우 단위로 상기 다수의 샘플링부에 제공하고 . 이미지 센서, 포토다이오드, 트랜지스터 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 수광 영역 이외의 상기 반도체 기판에 배치된 트랜치; 상기 수광 영역에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜치의 바닥면에 형성된 씨모스 회로; 상기 . 2022 · 본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로, 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀블럭들이 배열된 픽셀 어레이를 포함하고, 상기 복수의 픽셀블럭들 각각은, 플로팅디퓨전을 공유하는 복수의 단위픽셀들을 포함하는 수광부; 리셋 트랜지스터를 포함하는 제1구동부; 및 상기 제1구동부에 인접하고 . 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서 좀 더 상세하게는 입력 이미지를 일정 비율로 서브 샘플링하는 장치에 관한 것이다. CMOS 이미지 센서는 광전자 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부에 전송하는 전하 전송부를 포함하는 단위 화소가 메트릭스 형태로 배열된 화소 배열부, 광전자 변환부의 전하 축적 기간 중 일부 기간동안 전하 전송부의 전위가 음이 되는 . This advanced sensor captures images in either linear or high dynamic range, with rolling−shutter readout.Busandal 78 -
이미지 센서가 개시된다. 예를 들어 가장 친밀한 것으로 말하면 스마트 폰이나 디지털 카메라 네요. 이러한 본 발명은 나사산이 없이 원통체의 베이스와 렌즈를 장착한 렌즈홀더를 끼움 결합함으로서 렌즈 . 센서로세계로미래로. 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 제1 면에 수직한 제1 방향으로 연장되는 반도체 패턴; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 반도체 기판 내부로 연장되는 전송 게이트 . These CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor ) imaging sensors serve a broad range of applications and markets including machine vision, medical electronics, broadcast equipment, traffic management, scientific instrumentation and photography.
KR20180060309A KR1020160159663A KR20160159663A KR20180060309A KR 20180060309 A KR20180060309 A KR 20180060309A KR 1020160159663 A KR1020160159663 A KR 1020160159663A KR 20160159663 A KR20160159663 A KR 20160159663A KR … 스크라이브, 테스트 패턴, 리얼 칩, 이미지 센서 KR100698081B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100698081B1. 이미지 센서, 전하 운송 게이트, 블루밍, 다크 전류 KR20080105812A - Cmos 이미지 센서 - Google Patents Cmos 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20080105812A. 이미지 센서는 빛을 감지해서 그 세기의 정도를 디지 털 영상 데이터로 변환해 주는 부품으로 몇 번의 변환 과 2021 · Classifications.7−inch CMOS digital image sensor with a 3848 H x 2168 V active−pixel array. Raw Data와 Bayer Filter의 원리 (0) 2018. 본 발명은 이미지 센서를 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 광전하 축적부 및 상기 광전하축적부와 연결되어 이미지 감지 모드에서 광전하를 전기적인신호로 변환하는 트랜지스터들을 포함하는 픽셀 어레이부 및 상기 광전하 축적부와 연결되어 충전 모드에서 광전하를 충전하는 충전부를 . 이 이미지 센서는, 복수의 픽셀들을 포함하는 제 1 기판; 상기 픽셀들의 각각에서 상기 제 1 기판 내에 형성된 광전변환부; 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 1 캐패시터; 및 상기 제 1 캐패시터와 이격되되 상기 제 1 캐패시터를 둘러싸는 차폐 구조물을 포함한다. 본 기술은 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 집광효율을 증가시킬 수 있는 렌즈리스 이미지 센서를 제공하기 위한 것으로, 복수의 단위픽셀영역을 갖는 기판; 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 기판에 형성된 수광부; 상기 기판상에 형성된 컬러필터; 상기 단위픽셀영역 경계지역에 대응하여 . 이미지 센서(image sensor)이 제공된다. 대상 물체를 고해상도로 포착할 수 있는 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈는 간단한 조작은 그대로 유지하면서 검출 성능을 기존 대비 3배로 향상시켰습니다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 복수 개의 픽셀 영역들을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 픽셀 영역들에 각각 제공된 광전 변환 영역들; 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면에 일정 간격으로 이격되어 제공된 격자 패턴들로서, 상기 . 이미지 센서가 개시된다. 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 . KR20200077652A KR1020180166111A KR20180166111A KR20200077652A KR 20200077652 A KR20200077652 A KR 20200077652A KR 1020180166111 A KR1020180166111 A KR 1020180166111A KR 20180166111 A KR20180166111 A KR 20180166111A KR … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20190086283A. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 구형 구조물과; 상기 구형 구조물의 곡면에 형성되어 이미지를 감지하는 이미지 센서 구조물로 구성된다. 칼라 조정 경로 영역을 가지는 이미지 센서를 개시한다. 2000만 화소 CMOS와 안정적으로 에지를 검출할 수 있는 . 점자 블록 [mV/lux … H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semiconductor or other so 3차원 적층구조의 이미지센서 US9613933B2 (en) 2014-03-05: 2017-04-04: Intel Corporation: Package structure to enhance yield of TMI interconnections US10154211B2 (en) * 2014-11-20: 2018-12-11: Teledyne Dalsa B. 본 발명은 이미지센서 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. KR20190086283A KR1020180004618A KR20180004618A KR20190086283A KR 20190086283 A KR20190086283 A KR 20190086283A KR 1020180004618 A KR1020180004618 A KR 1020180004618A KR 20180004618 A KR20180004618 A KR 20180004618A KR … 본 발명은 서로 다른 칼라의 칼라필터 사이에 틈이 형성되는 것을 방지하여 빛의 난반사를 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 평탄화막이 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 평탄화막 상에 서로 이격된 복수의 제1 및 제2 칼라필터를 각각 . 2022 · 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102349105B1. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond 실시 예에 의한 이미지 센서는 서로 인접하여 배치된 복수의 픽셀 영역을 포함하고, 복수의 픽셀 영역은 중앙 픽셀 영역; 및 중앙 픽셀 영역의 주위에 배치되는 주변 픽셀 영역을 포함하고, 중앙 픽셀 영역은 복수의 중앙 픽셀을 포함하고, 주변 픽셀 영역은 복수의 주변 픽셀을 포함하고, 중앙 픽셀의 . H — ELECTRICITY; H01 — BASIC ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; H01L27/00 — Devices 여기서, 이미지센서(200)에 사용되는 기판(210)으로서, 예를 들면, CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트(graphite) 기판, 산화알루미늄(Al 2 O 3) 베이스에 ITO를 적층한 기판 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. KR20210047008A - 이미지 센서 - Google Patents
[mV/lux … H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semiconductor or other so 3차원 적층구조의 이미지센서 US9613933B2 (en) 2014-03-05: 2017-04-04: Intel Corporation: Package structure to enhance yield of TMI interconnections US10154211B2 (en) * 2014-11-20: 2018-12-11: Teledyne Dalsa B. 본 발명은 이미지센서 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. KR20190086283A KR1020180004618A KR20180004618A KR20190086283A KR 20190086283 A KR20190086283 A KR 20190086283A KR 1020180004618 A KR1020180004618 A KR 1020180004618A KR 20180004618 A KR20180004618 A KR 20180004618A KR … 본 발명은 서로 다른 칼라의 칼라필터 사이에 틈이 형성되는 것을 방지하여 빛의 난반사를 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 평탄화막이 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 평탄화막 상에 서로 이격된 복수의 제1 및 제2 칼라필터를 각각 . 2022 · 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102349105B1. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond 실시 예에 의한 이미지 센서는 서로 인접하여 배치된 복수의 픽셀 영역을 포함하고, 복수의 픽셀 영역은 중앙 픽셀 영역; 및 중앙 픽셀 영역의 주위에 배치되는 주변 픽셀 영역을 포함하고, 중앙 픽셀 영역은 복수의 중앙 픽셀을 포함하고, 주변 픽셀 영역은 복수의 주변 픽셀을 포함하고, 중앙 픽셀의 . H — ELECTRICITY; H01 — BASIC ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; H01L27/00 — Devices 여기서, 이미지센서(200)에 사용되는 기판(210)으로서, 예를 들면, CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트(graphite) 기판, 산화알루미늄(Al 2 O 3) 베이스에 ITO를 적층한 기판 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
Sbs 개표 방송 H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond 2018 · 그래서 영상 처리를 영어로 Image Processing이라 한다. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond (과제) Si 기판의 깊은 위치에 발생한 캐리어의 횡방향 확산에 의한, 인접하는 포토 다이오드로의 기여(화소간 크로스토크)를 억제하는 반도체 수광 소자를 갖는 이미지 센서를 제공한다. 1. 본 발명은 포토 다이오드를 갖는 이미지 센서의 암전류 발생을 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 트랜지스터용 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터용 게이트 전극의 일측에 얼라인되도록 상기 기판 내에 포토 다이오드를 . . 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈에서 모듈 하우징은 모듈 기판과 ….
본 발명은 외부와의 입력 및 출력을 센서 기판의 복수의 입력/출력 단자에 접속하기 위한 접속 단자 및 광원의 일부로서 리드 프레임 패키지에 접속하기 위한 접속 단자를 포함하는 단일의 접속 매체에 의해 일괄적으로 행할 수 있다. 이미지 센서 제조 방법 Download PDF Info Publication number KR100526465B1. 이미지 센서 칩(100)으로 입사되는 광은 이미지 센서 칩(100)을 이루는 각 층(Layer)에 의해 반사되어 광 손실이 일어나게 되고, 반사된 광에 의해 고스트(Ghost) 현상 및 플레어(Flare) 현상이 발생되어 이미지 열화를 일으킨다. KR20160112775A KR1020150039049A KR20150039049A KR20160112775A KR 20160112775 A KR20160112775 A KR 20160112775A KR 1020150039049 A KR1020150039049 A KR 1020150039049A KR 20150039049 A KR20150039049 A KR 20150039049A KR … 본 개시의 일 실시예는, 분리 영역에 의해 분리된 복수의 픽셀 영역을 포함하며, 제1 면 및 광이 입사되고 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면을 갖는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 제2 면 상에 상기 복수의 픽셀 영역에 각각 대응되도록 배치된 복수의 컬러 필터과; 상기 반도체 기판의 제2 면 . 이미지 센서는, 기판, 기판 상에 배치되며, 칼코겐 화합물을 포함하는 제1 물질막 및 제1 물질막에 연결되며, 상기 제1 물질막의 전기적 변화를 검출하는 검출부를 포함한다. 이미지 센서(image sensor)가 제공된다.
본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, CMOS . … 본 발명에 따른 이미지 센서는 서로 대향되는 제1면과 제2면을 포함하는 기판, 상기 기판 내에 배치되며 서로 인접하는 광전 변환부 및 전하 저장부, 상기 제1면 상에 배치되며 상기 전하 저장부와 중첩되는 차광 패턴, 및 상기 차광 패턴 상의 저굴절 패턴을 포함할 수 있다. 2017 · ifm - automation made in Germany 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 픽셀 영역들을 제공하며, 상기 복수의 픽셀 영역들 각각은 빛에 반응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드를 갖는 반도체 기판, 및 상기 반도체 기판 상에 배치되며, 상기 포토 다이오드가 생성한 전하를 저장하는 스토리지 트랜지스터, 및 상기 . 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20200077652A. 이러한 본 발명은 다수의 유효 픽셀을 포함하는 유효 픽셀 어레이와, 다수의 블랙 픽셀을 . 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 서로 대향하는 상면 및 하면을 가지는 기판, 상면에 수직 방향으로 이격되어 기판 내에 배치되고 광전 변환 영역을 정의하는 제1 분리 영역, 하면으로부터 수직 방향으로 제1 분리 영역까지 기판 내에 배치되는 제2 분리 영역, 광전 변환 영역에서 상면 . KR100526465B1 - 이미지 센서 제조 방법 - Google Patents
본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 컬럼들 각각의 픽셀 신호와 램프 신호를 비교한 비교 결과 신호를 수신하여 상기 비교 결과 신호의 카운트 결과를 생성하는 복수의 카운터 및 카운터 클럭 신호와 지연 클럭 신호를 생성하여 상기 복수의 카운터들로 . SPAD를 이용한 응용회로 설계 시 고려할 점. ÐÏ à¡± á> þÿ fÁ2 Å2 þÿÿÿ‡/ˆ/‰/Š/‹/Œ/ /Ž/ / /‘/’/“/”/•/–/—/˜/™/š/›/œ/ /ž/Ÿ/ /¡/¢/£/¤/¥/¦/§/¨/©/ª/«/¬ . <표 1>에 CCD와 CMOS 이미지 소자 기본 구조 비교가 되어 있다. 이미지 센서(s1)는, 피조사체에 빛을 출사하는 도광체(1),(2)과, 피조사체에서 반사한 반사광을 수속하는 렌즈체(15)와, 렌즈체(15)에서 수속된 반사광을 수광하는 센서(16)와, 하우징(10)을 구비한다. .허웅 연애 더쿠
KR101305608B1 KR1020110122122A KR20110122122A KR101305608B1 KR 101305608 B1 KR101305608 B1 KR 101305608B1 KR 1020110122122 A KR1020110122122 A KR 1020110122122A KR 20110122122 A KR20110122122 A KR 20110122122A KR 101305608 B1 KR101305608 … 이미지 센서(4500)는 통신 링크를 통해서 프로세서 장치(4300)와 통신할 수 있다. 이미지 센서 패키지가 제공된다. 따라서, 본 발명은 구형 구조물의 곡면에 이미지 센서 구조물이 형성되어 있으므로, 이미지를 감지할 수 … 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이, 램프 전압 생성기, 램프 전압이 입력되는 제1 입력단 및 칼럼 라인들 중 하나에 연결되는 제2 입력단을 각각 갖는 복수의 비교기들, 및 비교기들의 적어도 일부와 동일한 구조를 갖는 복제 회로를 포함하고, 비교기들 . KR100766497B1 . 이미지로 저장된다. 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다.
상기 이미지 센서는 기판, 기판 내에 형성된 분리 절연막, 분리 절연막 하부에, 다층으로 형성된 제1 도전형의 분리 불순물 영역, 및 기판 내에 다층으로 형성된 제2 도전형의 불순물 영역을 포함하는 포토 다이오드를 포함한다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR101679598B1. 이미지 센서는, 복수의 화소 영역들과, 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 복수의 화소 영역들 중 인접한 두 개의 화소 영역들 사이에 배치되며, 제1 도전층을 포함하는 화소 분리 구조물, 상기 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역 사이에 배치되며, 상기 화소 . 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR101305608B1. KR102349105B1 KR1020170179262A KR20170179262A KR102349105B1 KR 102349105 B1 KR102349105 B1 KR 102349105B1 KR 1020170179262 A KR1020170179262 A KR 1020170179262A KR 20170179262 A KR20170179262 A KR 20170179262A KR … 칩 사이즈를 감소시킬 수 있는 유기 광전층을 가지는 이미지 센서를 제공한다. 이미지 센서는 기판의 활성 영역 내에서 기판의 깊이 방향을 따라 연장되는 수직 게이트부를 포함하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 활성 영역 내에서 기판의 상면으로부터의 깊이가 서로 다른 위치에 형성되어 있는 복수의 포토다이오드 영역과 .
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